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申请/专利权人：福建华佳彩有限公司;福建钰融科技有限公司

摘要：一种TFT器件的制备方法，包括：在玻璃基板上形成栅极金属层；在栅极金属层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成有源层；在有源层上形成源极金属层和漏极金属层；再覆盖源极绝缘层；其中，栅极金属层、源极金属层和漏极金属层的铝蚀刻液的酸浓度为：磷酸、硝酸、醋酸成分占比65％、3.50％、17.50％；栅极绝缘层使用异质双层膜质，成膜方式为化学气相沉积。本发明通过调整金属坡度及提升膜质覆盖性，减少因产品覆盖性不佳带来的器件漏电及传级阻抗过大造成的面板显示不良，可以有效提升产品品质。

主权项：1.一种TFT器件的制备方法，包括如下步骤：在玻璃基板上形成栅极金属层；在栅极金属层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成有源层；在有源层上形成源极金属层和漏极金属层；再覆盖源极绝缘层；其特征在于：其中，所述栅极金属层、所述源极金属层和所述漏极金属层的铝蚀刻液的酸浓度为：磷酸、硝酸、醋酸成分占比65％、3.50％、17.50％；其中，所述栅极绝缘层通过如下步骤制备：步骤S1：第一次沉膜，为氮化硅沉积制程，具体包括：步骤S1a：将待沉积SiNx绝缘层之基板透过真空传送机构置入CVD真空腔体；步骤S1b：将待沉积SiNx绝缘层之基板与加热承载基座接触，使玻璃基板受热均匀；步骤S1c：通入NH37290sccm，SiH43240sccm，通过调压阀将真空腔体压力控制在1350mtorr；步骤S1d：以5500W输出功率透过等离子体解离步骤步骤S1c的制程气体形成氮化硅薄膜沉积在玻璃基板上；步骤S1e：沉膜完成之后关闭等离子体系统并将真空腔体内NH3、SiH4、H2气体排出；步骤S1f：将沉膜完成后的基板传出真空腔体，完成氮化硅沉积制程；步骤S2：第二次沉膜，为TEOSSiOx沉积制程，具体包括：步骤S2a：将待沉积TEOSSiOx绝缘层之基板透过真空传送机构置入CVD真空腔体；步骤S2b：将待沉积TEOSSiOx绝缘层之基板与加热承载基座接触，使玻璃基板受热均匀；步骤S2c：通入TEOS1500sccm，O230000sccm，透过调压阀将腔体压力控制在680mtorr；步骤S2d：以5000W输出功率透过等离子体解离步骤3的制程气体形成TEOSSiOx薄膜沉积在玻璃基板上；步骤S2e：沉膜完成之后关闭等离子体系统并将腔体内TEOS、O2气体排出；步骤S2e：将基板传出真空腔体，完成TEOSSiOx沉积制程。

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