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申请/专利权人：杭州积海半导体有限公司
摘要：本发明提供一种金属互连结构的形成方法及金属互连结构，具体涉及半导体技术领域。所述形成方法包括：提供基底，该基底包括第一层间介质层和形成在第一层间介质层中的导电层；在第一层间介质层上形成通孔，通孔的底部暴露部分导电层；在通孔的内壁及通孔两侧的第一层间介质层上依次形成扩散阻挡层和种子层；在种子层上形成互连金属线，互连金属线包括第一互连金属线和第二互连金属线，第一互连金属线填充在通孔内，第二互连金属线位于第一层间介质层上并与第一互连金属线相连；在第二互连金属线的顶壁和侧壁形成自对准合金区域；在自对准合金区域上形成第二层间介质层。该方法可以提高互连金属对电迁移的抵抗力，改善互连金属的扩散问题。
主权项：1.一种金属互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一层间介质层和形成在所述第一层间介质层中的导电层；在所述第一层间介质层上形成通孔，所述通孔的底部暴露部分所述导电层；在所述通孔的内壁及所述通孔两侧的所述第一层间介质层上依次形成扩散阻挡层和种子层；在所述种子层上形成互连金属线，所述互连金属线包括第一互连金属线和第二互连金属线，所述第一互连金属线填充在所述通孔内，所述第二互连金属线位于所述第一层间介质层上并与所述第一互连金属线相连；在所述第二互连金属线的顶壁和侧壁形成自对准合金区域；在所述自对准合金区域上形成第二层间介质层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州积海半导体有限公司 金属互连结构的形成方法及金属互连结构
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