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申请/专利权人：青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
摘要：本申请涉及半导体材料加工技术领域，尤其涉及一种复合压电衬底的制备方法。包括：由所述压电晶圆的第一表面向内进行一次离子注入，在所述压电晶圆内形成损伤层；由所述压电晶圆的第一表面向内进行氧离子注入，在所述压电晶圆第一表面与所述损伤层之间形成富氧层；所述氧离子的注入剂量小于所述一次离子注入的注入剂量；在所述压电晶圆的第一表面和或所述衬底晶圆的待键合面制备非晶硅层；将所述压电晶圆的第一表面与所述衬底晶圆的待键合面键合，得到键合体；将所述键合体进行裂片处理，使压电晶圆沿损伤层裂开，得到复合压电衬底；对所述复合压电衬底进行退火修复。经上述制备方法制备而得的复合压电衬底压电层氧空位显著降低。
主权项：1.一种复合压电衬底的制备方法，其特征在于，包括：S1准备压电晶圆和衬底晶圆；S2由所述压电晶圆的第一表面向内进行一次离子注入，在所述压电晶圆内形成损伤层；S3由所述压电晶圆的第一表面向内进行氧离子注入，在所述压电晶圆第一表面与所述损伤层之间形成富氧层；所述氧离子的注入剂量小于所述一次离子注入的注入剂量；S4在所述压电晶圆的第一表面和或所述衬底晶圆的待键合面制备非晶硅层；S5将所述压电晶圆的第一表面与所述衬底晶圆的待键合面键合，得到键合体；S6将所述键合体进行裂片处理，使压电晶圆沿损伤层裂开，得到复合压电衬底；S7对所述复合压电衬底进行退火修复。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司 复合压电衬底的制备方法
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