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一种含硅高熵硼化物涂层及其制备方法和应用 

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申请/专利权人:北京理工大学

摘要:本发明属于高熵涂层技术领域,具体涉及一种含硅高熵硼化物涂层及其制备方法和应用。本发明提供的含硅高熵硼化物涂层体系中,金属氧化物构成骨架,Nb2O5和Ta2O5作为主要液相填充骨架,构成致密氧化层;进一步的通过添加SiC,能够有效提高高熵硼化物的涂层性能以及抗氧化烧蚀性能,主要由于添加SiC后产生SiO2,能够构成致密的氧化层,同时与金属氧化物协同抗氧化,加入SiC后形成了SiO2、硼硅酸盐和o‑ZrSiO4,三者均能作为液相填充孔洞,其中SiO2还具有独特的钉扎作用。因此加入SiC后形成的氧化层致密性更好,从而提高材料的抗氧化烧蚀性能。

主权项:1.一种含硅高熵硼化物涂层,其特征在于,包括涂层基体和掺杂在所述涂层基体中的碳化硅;所述涂层基体的化学组成为Hf0.2Zr0.2Nb0.2Ta0.2Sc0.2B2。

全文数据:

权利要求:

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