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申请/专利权人：江苏集芯先进材料有限公司
摘要：本发明公开一种碳化硅晶体生长装置，包括坩埚、晶体生长腔室和摆动导流结构，坩埚限定出粉源区；晶体生长腔室限定出晶体生长区，晶体生长腔室设置在坩埚内，其顶壁通过活动轴安装在坩埚顶壁，晶体生长腔室顶壁为籽晶装载板，用于安装碳化硅籽晶，晶体生长腔室底壁为多孔板，多孔板的导流孔以多孔板中心位置的导流孔为原点向边缘依次排开；摆动导流结构设置在导流孔下边缘，且能够相对于导流孔摆动，用于对导流孔形成遮挡，导流孔与其两侧的摆动导流结构共同限定出导流通道。本发明能够避免因碳化硅局部区域生长过快或过缓而导致的晶体中产生位错、微管等缺陷，从而提高碳化硅晶体的品质。
主权项：1.一种碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括坩埚，所述坩埚限定出粉源区；晶体生长腔室，所述晶体生长腔室限定出晶体生长区，所述晶体生长腔室设置在坩埚内，其顶壁通过活动轴安装在所述坩埚顶壁，所述晶体生长腔室顶壁为籽晶装载板，用于安装碳化硅籽晶，所述晶体生长腔室底壁为多孔板，所述多孔板的导流孔以所述多孔板中心位置的所述导流孔为原点向边缘依次排开；摆动导流结构，所述摆动导流结构设置在所述导流孔下边缘，且能够相对于导流孔摆动，用于对所述导流孔形成遮挡，所述导流孔与其两侧的所述摆动导流结构共同限定出导流通道。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏集芯先进材料有限公司 碳化硅晶体生长装置
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