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申请/专利权人：广东肇庆微硕电子有限公司;湖北微硕新材料有限公司;五邑大学
摘要：本发明涉及一种抗偏置减落的贫铁锰锌铁氧体材料及其制备方法，所述铁氧体材料包括主成分和辅助成分，所述主成分为48~49mol％的Fe2O3、以MnO计29~35mol％的Mn3O4和17~22mol％的ZnO；以及所述辅助成分为，基于所述主成分的总重量以Co计xwt％的钴氧化物，其中x的取值范围为主成分中MnO的mol%数值除以（35±4）。本发明所述抗偏置减落的贫铁锰锌铁氧体材料可以有效降低抗EMI磁心因偏置导致的电感跌落。
主权项：1.一种抗偏置减落的贫铁锰锌铁氧体材料，其特征在于：所述铁氧体材料包括主成分和辅助成分，所述主成分为48~49mol％的Fe2O3、以MnO计29~35mol％的Mn3O4和17~22mol％的ZnO；以及所述辅助成分为基于所述主成分的总重量以Co计xwt％的钴氧化物和选自SiO2、CaCO3、V2O5、Nb2O5、Bi2O3、MoO3中的至少一种，其中x的取值范围为主成分中MnO的mol%数值除以（35±4）；所述钴氧化物是Co3O4、Co2O3或CoO中的一种或多种混合物；基于所述主成分的总重量，SiO2为0~50ppm、CaCO3为0~400ppm、V2O5为0~500ppm、Nb2O5为0~200ppm、Bi2O3为0~700ppm、MoO3为0~700ppm；材料的Tc≥120℃、Bs≥380mT、μi=4000~6000、BrBs≤0.2，且电感的偏置减落≤15%。
全文数据：
权利要求：
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