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申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司
摘要：本公开涉及ESD保护装置。一种可控硅整流器SCR包括第一p阱区、第二p阱区和n掺杂区。经安放在第一p阱区中的第一p掺杂抽头区，第一p阱区被耦合到第一触发端子。与第一p阱区相比，第一p掺杂抽头区具有更高的p型掺杂物的浓度。经安放在第二p阱区中的第二p掺杂抽头区，第二p阱区被耦合到第二触发端子。与第二p阱区相比，第二p掺杂抽头区具有更高的p型掺杂物的浓度。
主权项：1.一种半导体装置，包括：第一p阱区和第二p阱区，所述第一p阱区和所述第二p阱区位于衬底之上的n掺杂区中；第一n型阴极区，位于所述第一p阱区中；第一p型阳极区，位于所述第一p阱区中，所述第一n型阴极区位于所述第一p型阳极区和所述第二p阱区之间，其中与所述第一p阱区相比，所述第一p型阳极区具有更高的p型掺杂物的浓度；第二n型阴极区，位于所述第二p阱区中；第二p型阳极区，位于所述第二p阱区中，所述第二n型阴极区位于所述第二p型阳极区和所述第一p阱区之间，其中与所述第二p阱区相比，所述第二p型阳极区具有更高的所述p型掺杂物的浓度；第一p掺杂抽头区，位于所述第一p阱区中，所述第一p掺杂抽头区位于所述第一n型阴极区和所述第二p阱区之间，与所述第一p阱区相比，所述第一p掺杂抽头区具有更高的所述p型掺杂物的浓度；和第二p掺杂抽头区，位于所述第二p阱区中，所述第二p掺杂抽头区位于所述第二n型阴极区和所述第一p阱区之间，与所述第二p阱区相比，所述第二p掺杂抽头区具有更高的所述p型掺杂物的浓度。
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百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 ESD保护装置
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