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申请/专利权人：东莞理工学院;松山湖材料实验室
摘要：本发明公开了一种GaN基MSM型紫外探测器及其制备方法和应用，属于半导体光电探测器技术领域。本发明提供的GaN基MSM型紫外探测器，包括叠加设置的衬底、缓冲单元、GaN活性层和叉指电极；所述叉指电极的材质为Mo。本发明提供的GaN基MSM型紫外探测器，能够有效提高光生电流强度，进而提升光电性能。本发明还提供了上述GaN基MSM型紫外探测器的制备方法和应用。
主权项：1.一种GaN基MSM型紫外探测器，其特征在于，包括叠加设置的衬底、缓冲单元、GaN活性层和叉指电极；所述叉指电极的材质为Mo。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东莞理工学院 松山湖材料实验室 一种GaN基MSM型紫外探测器及其制备方法和应用
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