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申请/专利权人：合肥科微芯测科技有限公司

摘要：本发明公开了一种低失调带隙基准电路，属于集成电路领域,包括偏置电压产生电路、高增益运放电路、启动电路、带隙基准产生电路和输出滤波电路；所述偏置电压产生电路与高增益运放电路连接，高增益运放电路与带隙基准产生电路电连接，启动电路和带隙基准产生电路通电连接，带隙基准产生电路和输出滤波电路带隙基准产生电路和输出滤波电路。本发明运用了串联三极管、非对称电流拷贝和高比例三极管的方式，通过提高增益、匹配运放两条支路负载条件，降低了运放产生的失调电压VOS。降低了失调电压被放大至输出端的比例，通过增加输出滤波电路，增强了带隙基准模块对电源噪声的抑制能力。

主权项：1.一种低失调带隙基准电路，其特征在于，包括偏置电压产生电路、高增益运放电路、启动电路、带隙基准产生电路和输出滤波电路；所述偏置电压产生电路包括MOS管M00、MOS管M01、电阻R01、电阻R02和电阻R03，MOS管M00的栅极和漏极同时与电阻R01的一端、MOS管M10的栅极连接，电阻R01的另一端同时与电阻R02的一端、MOS管M15的栅极连接，电阻R02的另一端同时与电阻R03的一端、MOS管M17的栅极连接，电阻R03的另一端同时与MOS管M01的栅极、MOS管M01的漏极、MOS管M19的栅极连接；启动电路包括MOS管M02、MOS管M03和电阻R04，MOS管M02的栅极与MOS管M03的源极连接，MOS管M03的漏极接地；MOS管M02的漏极与MOS管M03的栅极、电阻R04的一端连接，电阻R04的另一端接地；带隙基准产生电路包括MOS管M21、MOS管M22、MOS管M23、MOS管M24、MOS管M25、MOS管M26、MOS管M27、MOS管M28、MOS管M29、MOS管M30、电阻R1、电阻R2、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、三极管Q5和运放U1；MOS管M21的栅极同时与MOS管M02的栅极、MOS管M22的栅极、MOS管M23的栅极、MOS管M24的栅极、MOS管M25的栅极、运放U1的输出端连接；MOS管M21的漏极与MOS管M26的源极连接，MOS管M22的漏极与MOS管M27的源极连接，MOS管M23的漏极与MOS管M28的源极连接，MOS管M24的漏极与MOS管M29的源极连接，MOS管M25的漏极与MOS管M30的源极连接；MOS管M26的栅极同时与MOS管M27的栅极、MOS管M28的栅极、MOS管M29的栅极、MOS管M30的栅极、MOS管M15的栅极连接；MOS管M26的漏极同时与三极管Q5的发射极、三极管Q3的基极连接；MOS管M27的漏极同时与三极管Q3的发射极、运放U1的输入负端连接，运放U1的输入负端与MOS管M12的栅极连接，MOS管M28的漏极同时与电阻R1的一端、运放U1的输入正端连接，运放U1的输入正端与MOS管M11的栅极连接，电阻R1的另一端与三极管Q2的发射极连接；MOS管M29的漏极同时与三极管Q2的基极、三极管Q4的发射极连接，MOS管M30的漏极与电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端与三极管Q1的发射极连接；高增益运放电路包括MOS管M10、MOS管M11、MOS管M12、MOS管M13、MOS管M14、MOS管M15、MOS管M16、MOS管M17、MOS管M18、MOS管M19和MOS管M20，MOS管M10的源极、MOS管M13的源极、MOS管M14的源极都与电源VDD连接；MOS管M13的栅极同时与MOS管M14的栅极、MOS管M15的漏极、MOS管M17的漏极连接；MOS管M13的漏极与MOS管M15的源极连接，MOS管M14的漏极与MOS管M16的源极连接；MOS管M15的栅极与MOS管M16的栅极连接；MOS管M16的漏极与MOS管M18的漏极连接；MOS管M17的源极同时与MOS管M19的漏极、MOS管M11的漏极连接，MOS管M18的源极同时与MOS管M20的漏极、MOS管M12的漏极连接；MOS管M19的栅极与MOS管M20的栅极连接；MOS管M19的源极和MOS管M20的源极都接地；MOS管M11的源极同时和MOS管M12的源极、MOS管M10的漏极连接；输出滤波电路包括电阻R和电容C，电阻R的一端与MOS管M30的漏极连接，电阻R的另一端与电容C一端连接，电容C一端的为输出电压VBGR，电容C另一端接地。

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