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申请/专利权人：西北有色金属研究院
摘要：本发明公开了一种原位制备Mo2C‑MoSe2异质结的方法，该方法包括：一、分别称量Mo2C和Se粉研磨均匀得到混合粉末；二、将混合粉末放在流通氩气的管式炉中进行高温煅烧得到烧结粉末；步骤三、将烧结粉末采用稀硝酸洗涤后经去离子水冲洗和抽滤干燥，得到原位生成的Mo2C‑MoSe2异质结。本发明通过在Mo2C材料中加入Se粉进行高温煅烧，使得Se粉与Mo2C发生反应，原位制备得到Mo2C‑MoSe2异质结，该异质结结构能够有效加强界面间电荷的传输速度，同时提供丰富的活性位点，可实现高效异质结材料快速合成，适用于储能、催化、半导体等领域。
主权项：1.一种原位制备Mo2C-MoSe2异质结的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一、分别称量Mo2C和Se粉，置于玛瑙研钵中研磨均匀，得到混合粉末；步骤二、将步骤一中得到的混合粉末转移到氧化铝坩埚中，然后放在流通氩气的管式炉中进行高温煅烧，得到烧结粉末；步骤三、将步骤二中得到的烧结粉末采用稀硝酸洗涤两次，然后采用去离子水冲洗至中性，再经抽滤干燥，得到原位生成的Mo2C-MoSe2异质结。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西北有色金属研究院 一种原位制备Mo2C-MoSe2异质结的方法
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