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申请/专利权人：雷神BBN技术公司;雷声公司
摘要：一种光子器件具有Al1‑xScxN和AlyGa1‑yN材料，其中，Al是铝，Sc是钪，Ga是镓，并且N是氮，并且其中，0小于x并且x小于或等于0.45，并且0小于或等于y并且y小于或等于1。
主权项：1.一种光子器件，包括：具有平面内光传播的III族-氮化物光子波导层；以及设置在所述III族-氮化物光子波导层上的包覆层；所述包覆层包括Al1-xScxN，其中，0＜x≤0.45，并且设置在所述III族-氮化物光子波导层上的所述包覆层在所述光子器件的操作波长下向所述III族-氮化物光子波导层提供较低的折射率，同时还向所述III族-氮化物光子波导层提供晶格匹配层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 雷神BBN技术公司 雷声公司 具有Al1-xScxN和AlyGa1-yN材料的光子器件
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