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一种低孔洞全金属间化合物焊点的制备方法 

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申请/专利权人:常州大学

摘要:本发明公开了一种低孔洞全金属间化合物焊点的制备方法,其包括如下步骤:1在晶圆表面待键合区沉积0.1~5μm厚Cu‑Zn金属层,该Cu‑Zn金属层中Zn的质量百分比为5~20wt%;2在步骤1所得晶圆的Cu‑Zn金属层上沉积10~50nm厚Fe纳米晶薄膜;3在步骤2所得晶圆的Fe纳米晶薄膜上依次沉积Sn钎料层和In钎料层;4将依次沉积Cu‑Zn金属层、Fe纳米晶薄膜、Sn钎料层和In钎料层的两个晶圆的待键合区对接,并进行固液互扩散键合处理,即得到低孔洞全金属间化合物焊点。本发明钎料制备的全金属间化合物焊点几乎无孔洞,可显著提高全金属间化合物焊点的可靠性。

主权项:1.一种低孔洞全金属间化合物焊点的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:1在晶圆表面待键合区沉积Cu-Zn金属层;2在步骤1所得晶圆的Cu-Zn金属层上沉积Fe纳米晶薄膜;3在步骤2所得晶圆的Fe纳米晶薄膜上依次沉积Sn钎料层和In钎料层;4将依次沉积了Cu-Zn金属层、Fe纳米晶薄膜、Sn钎料层和In钎料层的两个晶圆的待键合区对接,并进行固液互扩散键合处理,即得低孔洞全金属间化合物焊点。

全文数据:

权利要求:

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