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申请/专利权人：湖北九峰山实验室
摘要：本发明涉及深硅刻蚀技术领域，具体涉及一种TSV通孔形貌及其刻蚀方法。该TSV通孔包括n个循环布设的“水滴形”贝壳纹，所述n≥1；每个“水滴形”贝壳纹中，水平方向的最大刻蚀长度为X，垂直方向的刻蚀深度为Y，X将垂直方向的刻蚀深度Y一分为二，分别为Y1和Y2，其中，Y1≤X＜Y2；其中，所述水平方向为垂直通孔轴向的方向。本发明另辟蹊径，通过对深硅刻蚀贝壳纹的形貌进行重新设计，即可解决后续PVD和电镀工艺难的问题，且该结构仅仅通过改变传统深硅刻蚀工艺bosch的参数即可实现，成本低，效率高。
主权项：1.一种TSV通孔形貌，其特征在于，所述TSV通孔包括n个循环布设的“水滴形”贝壳纹，n≥1；每个“水滴形”贝壳纹中，水平方向的最大刻蚀长度为X，垂直方向的刻蚀深度为Y，X将垂直方向的刻蚀深度Y一分为二，分别为Y1和Y2，其中，Y1≤X＜Y2；其中，所述水平方向为垂直通孔轴向的方向。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北九峰山实验室 一种TSV通孔形貌及其刻蚀方法
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