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申请/专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日：2023-05-09
公开（公告）日：2024-10-11
公开（公告）号：CN116520509B
专利技术分类：..光波导与光电元件的耦合[2006.01]
专利摘要：本发明公开一种改变薄膜生长模式和表面形貌的倏逝波调制器及调制方法。调制器包括样品夹、耦合器和光吸收片。它使用激光在透明基片的表面产生倏逝波，用来调制薄膜的生长模式和生长形貌。其中，耦合器把光纤导入的p偏振激光传入样品夹；样品夹以大于全反射临界角的入射角把激光从基片背面入射到基片的内表面上，产生全反射，在外表面上同时产生的倏逝波场；倏逝波场极化基片表面的吸附原子，使之受到指向界面的净吸引力，促进吸附原子从薄膜的成核或岛上向下扩散，抑制其向上扩散，从而把岛状生长模式转变为层状生长模式，使薄膜表面平整化；光吸收片吸收基片全反射回来的激光和光路中漫散射的激光，用于加热薄膜样品。
专利权项：1.一种改变薄膜生长模式和表面形貌的倏逝波调制器，其特征在于：包括样品夹、耦合器和光吸收片；样品夹的表面的长方体坑盛放并夹持同材质的透明基片；光吸收片包覆在样品夹的下表面；样品夹套入耦合器，耦合器的另一端接光纤；所述样品夹用于夹持基片并控制入射激光的入射角，它由两块与基片同材质的晶体或非晶体形成的夹片组成，表面挖有长方体坑，在长方体坑中放置基片；所述样品夹把来自光纤并经所述耦合器导入的p偏振激光以大于全反射临界角的入射角入射到基片的内表面上，在内表面产生全反射，同时相应地在外表面产生倏逝波场，倏逝波的电场作为高梯度场极化吸附原子，使之受到总是指向薄膜与基片的界面的净吸引力，从而促进样品表面核岛吸附原子的向下扩散，抑制其向上扩散，使薄膜表面平整化；所述耦合器用于把光纤传来的激光耦合到样品夹中；所述光吸收片用于吸收从基片反射回来的激光以及光路中漫散射的激光。
百度查询： 中国科学院高能物理研究所 改变薄膜生长模式和表面形貌的倏逝波调制器及调制方法
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