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申请/专利权人：英特尔公司
摘要：本文中描述的器件、晶体管结构、系统和技术涉及场效应晶体管的背侧接触部，所述背侧接触部在腔体间隔物形成之前使用背侧接触部蚀刻形成。晶体管包括半导体结构，诸如在源极和漏极之间延伸的纳米带。间隔物材料在栅极和源极漏极之间，作为腔体间隔物填充物。间隔物材料也在背侧接触部的一部分和源极漏极的一部分之间，以消除背侧接触部和栅极之间的短路。
主权项：1.一种装置，包括：一个或多个半导体结构，在衬底上方并且在源极结构和漏极结构之间延伸，源极结构或漏极结构中的至少一个外延到所述一个或多个半导体结构；栅极结构，邻近于所述一个或多个半导体结构的一个或多个沟道区；间隔物材料，在栅极结构和源极结构或漏极结构中的至少一个之间；和背侧接触金属，延伸通过衬底并且与源极结构或漏极结构中的至少一个接触，其中间隔物材料的一部分与背侧接触金属的一部分和源极结构或漏极结构中的至少一个的一部分接触并且在背侧接触金属的一部分和源极结构或漏极结构中的至少一个的一部分之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英特尔公司 用于晶体管源极/漏极的背侧接触部的在腔体间隔物形成之前的背侧接触部蚀刻
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