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申请/专利权人：无锡旷通半导体有限公司
摘要：本发明涉及一种平面MOS的制备方法及平面MOS结构，包括以下步骤：选取第一导电类型衬底，并在第一导电类型衬底正面上生长出第一导电类型外延层；在第一导电类型外延层表面的部分区域内注入第二导电类型离子，并高温推进，在第一导电类型外延层内形成第二导电类型体区；在第一导电类型外延层正面形成栅极结构；在第二导电类型体区内形成第一导电类型源区；在第二导电类型外延层表面沉积绝缘介质层；对器件正面进行扩铂工艺；在绝缘介质层的正面沉积金属，形成正面金属层，并在第一导电类型衬底的背面沉积金属，形成背面金属层，本发明具有有效的提高平面MOS器件的恢复速率，比辐照工艺下的平面MOS的恢复速率快50％，且开关漏电流小，工作结温小的效果。
主权项：1.一种平面MOS的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：选取第一导电类型衬底1，并在所述第一导电类型衬底1正面上生长出第一导电类型外延层2；通过光刻遮挡，在所述第一导电类型外延层2表面的部分区域内注入第二导电类型离子，并高温推进，在所述第一导电类型外延层2内形成第二导电类型体区3；在所述第一导电类型外延层2正面沉积并刻蚀形成栅极结构；通过光刻遮挡，在所述第二导电类型体区3表面的部分区域内注入第一导电类型离子，并高温推进，在所述第二导电类型体区3内形成第一导电类型源区4；在所述第二导电类型外延层具有所述栅极结构一侧表面沉积绝缘介质层5，并刻蚀所述绝缘介质层5，形成金属接触通孔6；对器件正面进行扩铂工艺；在所述绝缘介质层5的正面沉积金属，并且填充金属接触通孔6，形成正面金属层7，并在所述第一导电类型衬底1的背面沉积金属，形成背面金属层8。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡旷通半导体有限公司 平面MOS的制备方法及平面MOS结构
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