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一种检测与抑制MOS关断电压尖峰的驱动电路 

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申请/专利权人:常州大学

摘要:本发明涉及驱动电路技术领域,尤其涉及一种检测与抑制MOS关断电压尖峰的驱动电路,包括电压检测电路、电压比较电路、电压放大电路、栅极电流补偿电路、驱动电路和功率回路;其中,在功率回路的漏极设置电压检测电路,通过电压比较电路,将采样电压与设定参考电压进行比较,得到电压差值;再通过电压放大电路,将电压差值按比例调节,从而控制栅极电流补偿电路的接通与关断,当功率回路的电压过冲时,向功率回路的栅极提供补偿电流,提高栅极电压变化率,降低漏源极关断电压过冲。本发明解决SiCMOSFET现有驱动电路不能同时满足关断电压尖峰小、驱动损耗小、开关速度快且可实现程度高等问题。

主权项:1.一种检测与抑制MOS关断电压尖峰的驱动电路,其特征在于,包括:电压检测电路、电压比较电路、电压放大电路、栅极电流补偿电路、驱动电路和功率回路;其中,在功率回路的漏极设置电压检测电路,通过电压比较电路将采样电压与参考电压进行比较,得到电压差值;再通过电压放大电路将电压差值按比例调节,从而控制栅极电流补偿电路的接通与关断,当功率回路的电压过冲时,向功率回路的栅极提供补偿电流,提高栅极电压变化率,降低漏源极关断电压过冲。

全文数据:

权利要求:

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