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申请/专利权人：重庆大学

摘要：本发明涉及一种抑制过冲尖峰的SiCMOSFET驱动电路，它包括驱动电路，由P型、N型MOS管和开关管构成电流镜结构的栅极电流控制电路，在SiCMOSFET的开通和关断阶段，根据特定的驱动信号控制栅极电流控制电路中开关管的通断来调节栅极电流的流向和大小，进而抑制dvdt和didt的过冲尖峰。本发明通过采用简单的电路结构分别对开通和关断阶段的SiCMOSFET开关栅极电流进行独立控制，能够有效抑制电流、电压过冲和振荡现象，且不需要增加驱动电阻阻值，不会增加开关损耗，电流镜结构产生的电流恒定受到驱动条件和参数变化的影响较小，控制效果稳定。

主权项：1.一种抑制过冲尖峰的SiCMOSFET驱动电路，它包括驱动电路和SiCMOSFET开关，所述驱动电路根据驱动信号产生所述SiCMOSFET开关所需的驱动电压，其特征在于：还包括由P型、N型MOS管和开关管构成电流镜结构的栅极电流控制电路，在SiCMOSFET的开通和关断阶段，根据特定的驱动信号控制栅极电流控制电路中开关管的通断来调节栅极电流的流向和大小，进而抑制dvdt和didt的过冲尖峰；所述栅极电流控制电路包括呈对称电流镜结构的P型MOS管栅极电流控制支路和N型MOS管栅极电流控制支路；在SiCMOSFET开关处于开通阶段时通过外部驱动信号控制导通N型MOS管栅极电流控制支路，并通过预先调整好的N型MOS管栅极电流控制支路中MOS管的宽长比来调节输出电流值，从而形成稳定的电流源对SiCMOSFET开关栅极电流进行抽取；在SiCMOSFET开关处于关断阶段时通过外部驱动信号控制导通P型MOS管栅极电流控制支路，并通过预先调整好的P型MOS管栅极电流控制支路中MOS管的宽长比来调节输出电流值，从而形成稳定的电流源对SiCMOSFET开关栅极电流进行注入；所述P型MOS管栅极电流控制支路包括两个P型MOS管S3和S4、开关管S5与电阻R1；MOS管S3和S4的源极连接偏置电压VGon，MOS管S3的漏极与栅极相连并连接到开关管S5的漏极和MOS管S4的栅极上；开关管S5的源极通过连接电阻R1接地，栅极外接外部驱动信号；MOS管S4的漏极连接SiCMOSFET开关的栅极；在SiCMOSFET开关处于关断阶段时在外部驱动信号控制下导通开关管S5，通过预先调整好的MOS管S3和S4的宽长比来调节输出电流值，从而形成稳定的电流源对SiCMOSFET开关栅极电流进行注入；所述N型MOS管栅极电流控制支路包括三个N型MOS管S6、S7、S8和电阻R2；MOS管S7和S8的源极连接偏置电压VGoff，MOS管S7的漏极与栅极相连并连接到MOS管S8栅极和S6的源极上；MOS管S6的漏极通过连接电阻R2接地，栅极外接外部驱动信号；MOS管S8的漏极连接SiCMOSFET开关的栅极；在SiCMOSFET开关处于开通阶段时在外部驱动信号控制下导通MOS管S6，通过预先调整好的MOS管S7和S8的宽长比来调节输出电流值，从而形成稳定的电流源对SiCMOSFET开关栅极电流进行抽取。

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