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申请/专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
摘要：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种超结MOSFET器件及其制备方法、芯片，通过在栅极介质层两侧设置第一N型重掺杂区与第二N型重掺杂区，并且在第一P柱和第一P型基区之间设置与第一N型重掺杂区接触的第一横向介质层，在第二P柱与第二P型基区之间设置与第二N型重掺杂区接触的第二横向介质层，抑制了超结器件在反向恢复时第一P型基区中的空穴向第一P柱的注入，第二P型基区中的空穴向第二P柱的注入，转而注入至第一N型重掺杂区和第二N型重掺杂区，进而改变了反向恢复时电流抽取路径，降低了反向恢复电荷，改善了反向恢复软度，有效降低了该超结器件在反向恢复中的硬恢复，提高了超结器件的软度因子。
主权项：1.一种超结MOSFET器件，其特征在于，所述超结MOSFET器件包括：N型衬底；第一P柱、N型漂移层以及第二P柱，形成于所述N型衬底上；第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区、栅极介质层，形成于所述N型漂移层上；所述栅极介质层位于所述第一N型重掺杂区与所述第二N型重掺杂区之间，并且，与第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区接触；所述栅极介质层呈凹形结构；第一P型基区、第二P型基区，分别形成于所述第一P柱和所述第二P柱上；所述第一P型基区与所述第一P柱之间设有与所述第一N型重掺杂区接触的第一横向介质层，所述第二P型基区与所述第二P柱之间设有与所述第二N型重掺杂区接触的第二横向介质层；第一P型源区、第一N型源区，形成于所述第一P型基区上；第二P型源区、第二N型源区，形成于所述第二P型基区上；P型多晶硅层、栅极多晶硅层，所述P型多晶硅层、所述栅极多晶硅层以层叠方式形成于所述栅极介质层的凹槽内，且所述栅极多晶硅层形成于所述P型多晶硅层上；源极层，与所述第一P型源区、第一N型源区、所述第二P型源区、第二N型源区接触；栅极层，与所述栅极多晶硅层接触；漏极层，形成于所述N型衬底的背面。
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