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申请/专利权人：北京清芯微储能科技有限公司
摘要：本发明涉及金属氧化物半导体场效应晶体管技术领域，且公开了一种高迁移率的半导体MOSFET结构，包括漏极、金属栅极和源极，所述漏极的上表面形成有N+衬底，所述N+衬底的上表面有N‑漂移区，所述N‑漂移区的内部设置有栅槽，所述栅槽的内部嵌设有屏蔽层，所述栅槽的内部靠近所述屏蔽层的上方安装所述金属栅极；在N+衬底与N‑漂移区之间嵌设金属导热棒，金属导热棒的左右两端贯穿至半导体MOSFET结构外部，进而N‑漂移区和N+衬底中的热量可以转移到金属导热棒上，由于金属导热棒的端部外露，利于热量散出，避免半导体MOSFET器件散热效果差导致的迁移率受到影响。
主权项：1.一种高迁移率的半导体MOSFET结构，包括漏极1、金属栅极5和源极9，其特征在于：所述漏极1的上表面形成有N+衬底2，所述N+衬底2的上表面有N-漂移区11，所述N-漂移区11的内部设置有栅槽4，所述栅槽4的内部淀积有屏蔽层15，所述栅槽4的内部淀积有所述金属栅极5，所述金属栅极5材质为铝，所述金属栅极5外侧包裹一层的栅氧层，所述N-漂移区11的上方通过离子注入形成有P体区7，所述栅槽4贯穿所述P体区7并深入至所述N-漂移区11内，每个所述P体区7的上方通过离子注入形成有不想临近的N+源区8，所述N+源区8和所述P体区7之间形成有耗尽层6，所述N-漂移区11和所述栅槽4之间具有沟道层3，所述N-漂移区11的下表面具有第一长凹槽12，所述N+衬底2的上表面具有第二长凹槽13，所述第一长凹槽12和所述第二长凹槽13之间嵌设有金属导热棒14，所述金属导热棒14与所述第一长凹槽12、所述第二长凹槽13淀积后掩埋固定，所述金属栅极5的上方涂覆绝缘层10，所述绝缘层10的外部包裹有所述源极9，且部分所述P体区7和部分所述N+源区8的上表面贴合在所述源极9的下表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京清芯微储能科技有限公司 一种高迁移率的半导体MOSFET结构
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