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申请/专利权人：深圳市森国科科技股份有限公司
摘要：本发明公开了一种MOSFET结构及制作方法，涉及半导体技术领域，解决了现有的MOSFET结构的通流能力具有局限性的技术问题。该方法包括：在晶圆上刻蚀出沟槽，且沟槽分布在晶圆的两侧；在沟槽和晶圆上生长第一阻挡层，并通过光刻胶对第一阻挡层进行刻蚀形成掺杂区，掺杂区位于晶圆的中部，且掺杂区的侧面与晶圆的侧面之间存在JFET区；在沟槽及晶圆上生长隔离介质层和多晶硅，并通过光刻胶刻蚀出两个栅极区，栅极区设置在沟槽内且位于晶圆之上。本发明在制作MOSFET结构时，通过在晶圆两侧刻蚀出沟槽，将栅极区设置在沟槽内，形成向下凸出的栅极区，通过栅极区与极窄JFET区相互配合，在不影响击穿电压的前提下，大幅度减小导通电阻，增大正向导通电流能力。
主权项：1.一种MOSFET结构的制作方法，其特征在于，包括：在晶圆上刻蚀出沟槽，且所述沟槽分布在所述晶圆的两侧；在所述沟槽和所述晶圆上生长第一阻挡层，并通过光刻胶对所述第一阻挡层进行刻蚀形成掺杂区，所述掺杂区位于所述晶圆的中部，且所述掺杂区的侧面与所述晶圆的侧面之间存在JFET区；在所述沟槽及所述晶圆上生长隔离介质层和多晶硅，并通过光刻胶刻蚀出两个栅极区，所述栅极区设置在所述沟槽内且位于所述晶圆之上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市森国科科技股份有限公司 一种MOSFET结构及制作方法
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