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申请/专利权人：无锡商甲半导体有限公司

摘要：本发明提供一种高单胞密度的低功耗沟槽MOSFET器件及制造方法，所述器件的有源区包括多个单胞区；若干个连续分布的单胞区构成一个周期模块；每个周期模块的四周边缘设有边缘沟槽；所述边缘沟槽将周期模块形成闭合结构；所述边缘沟槽沿第一方向或与第一方向垂直的第二方向延伸；在第一方向以及与第一方向垂直的第二方向，各周期模块连续分布；在第一方向以及与第一方向垂直的第二方向，相邻周期模块之间通过边缘沟槽连接；在周期模块中，源极接触孔分布在若干个平行设置且沿第一方向延伸的单胞沟槽背离连接沟槽的另一侧且与单胞沟槽相隔一个距离；所述源极接触孔沿与第一方向垂直的第二方向延伸。本发明能够降低器件的最小单胞尺寸。

主权项：1.一种高单胞密度的低功耗沟槽MOSFET器件，所述器件的有源区包括多个单胞区；其特征在于，若干个连续分布的单胞区构成一个周期模块；每个周期模块的四周边缘设有边缘沟槽13；所述边缘沟槽13将周期模块形成闭合结构；所述边缘沟槽13沿第一方向或与第一方向垂直的第二方向延伸；在第一方向以及与第一方向垂直的第二方向，各周期模块连续分布；在第一方向以及与第一方向垂直的第二方向，相邻周期模块之间通过边缘沟槽13连接；所述器件包括第一导电类型衬底1，在第一导电类型衬底1上设有第一导电类型外延层2，第一导电类型外延层2背离第一导电类型衬底1的表面为第一主面，第一导电类型衬底1背离第一导电类型外延层2的表面为第二主面；在第一导电类型外延层2中设有单胞沟槽3，单胞沟槽3位于器件有源区的周期模块中；在周期模块中，若干个单胞沟槽3平行设置且沿第一方向延伸；在单胞沟槽3和边缘沟槽13内壁均设有栅氧层4，在单胞沟槽3中填充有栅极多晶硅5，在边缘沟槽13中填充有导电多晶硅；在一个周期模块中，所述边缘沟槽13至少包括一个连接沟槽12，所述连接沟槽12与周期模块中各单胞沟槽3的一侧端部相连；连接沟槽12中的导电多晶硅与单胞沟槽3中的栅极多晶硅5相连；在周期模块中，相邻单胞沟槽3之间以及单胞沟槽3与边缘沟槽13之间的第一导电类型外延层2顶部自下而上设有第二导电类型阱区6和重掺杂的第一导电类型注入区7；在器件的第一主面设有绝缘介质层8，并在绝缘介质层8上设有源极金属10；所述源极金属10与贯穿绝缘介质层8的源极接触孔9相连；所述源极接触孔9穿过第一导电类型注入区7与第一导电类型注入区7和第二导电类型阱区6欧姆接触；在器件的第二主面设有漏极金属11；在周期模块中，所述源极接触孔9分布在所述若干个平行设置且沿第一方向延伸的单胞沟槽3背离连接沟槽12的另一侧且与单胞沟槽3相隔一个距离；所述源极接触孔9沿与第一方向垂直的第二方向延伸。

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