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申请/专利权人：西安微电子技术研究所
摘要：本发明公开了一种SiC器件结构及制作方法，在SiC外延层上淀积氧化层，进而形成了注入掩蔽区，注入掩蔽区上有元胞区和JTE区，JTE区包括依次相连的箱体JTE区和斜坡JTE区，且斜坡JTE区的底面为斜面，将JTE区分成两种不同的结构，两种结构相结合，采用斜角注入掩蔽区后，采用一次注入的方式，既节省了注入次数，又通过斜角掩蔽区平缓了注入区浓度，在JTE区没有掺杂浓度突变区，减小了电场集中，提高了击穿电压。
主权项：1.一种SiC器件结构，其特征在于，包括SiC外延层，所述SiC外延层上淀积氧化层，所述氧化层上设置元胞区1，所述元胞区1两侧分别为JTE区；所述JTE区包括依次相连的箱体JTE区2和斜坡JTE区3，所述斜坡JTE区3的底面为斜面，所述斜坡JTE区3远离箱体JTE区2的一侧与元胞区1相连。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安微电子技术研究所 一种SiC器件结构及制作方法
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