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申请/专利权人：湖北文理学院
摘要：本发明涉及热激活延迟荧光的技术领域，具体涉及一种利用表面缺陷态实现量子点热激活延迟荧光的方法及ZnSe@ZnS量子点的应用，将第一激子吸收峰在390nm‑410nm的ZnSe量子点包覆适当厚度的ZnS壳层内，得到ZnSe@ZnS量子点，在无额外有机分子的情况下，利用量子点的表面缺陷态将ZnSe量子点的荧光寿命从纳秒量级延长至百微秒量级。本发明利用表面缺陷态实现ZnSe@ZnS核壳量子点的热激活延迟荧光，以适应对长寿命荧光的应用场景。所述的量子点热激活延迟荧光实现方法，在不引入额外有机分子的前提下，通过量子点及其缺陷态能级间的三线态能量转移来实现。
主权项：1.一种利用表面缺陷态实现量子点热激活延迟荧光的方法，其特征在于：将第一激子吸收峰在390nm-410nm的ZnSe量子点包覆适当厚度的ZnS壳层内，得到ZnSe@ZnS量子点，在无额外有机分子的情况下，利用量子点的表面缺陷态将ZnSe量子点的荧光寿命从纳秒量级延长至百微秒量级。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北文理学院 利用表面缺陷态实现量子点热激活延迟荧光的方法及ZnSe@ZnS量子点的应用
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