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申请/专利权人：苏州源展材料科技有限公司
摘要：本发明公开了一种利用ALD技术生长TeO2薄膜的方法，包括以下步骤：1将湿化学处理后的衬底置于原子层沉积设备反应腔中，通入碲前驱体源在衬底表面进行化学吸附；所述碲前驱体源为醇碲；2待步骤1中化学吸附饱和后，向反应腔中通入惰性气体进行吹扫，再通入氧源反应；所述氧源为水；3待步骤3反应结束后，向反应腔中通入惰性气体进行吹扫；4重复步骤1～3，在衬底表面生长得到所述TeO2薄膜。本发明以醇碲为碲前驱体源、水为氧源利用ALD技术可在不同材料或形貌的衬底上制备得到均匀的TeO2薄膜，工艺可控且精度高，适用于光学、电学等领域对高质量TeO2薄膜的需求。
主权项：1.一种利用ALD技术生长TeO2薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将湿化学处理后的衬底置于原子层沉积设备反应腔中，通入碲前驱体源在衬底表面进行化学吸附；所述碲前驱体源为Te（OEt）4；所述湿化学处理具体为：使用丙酮、甲醇、异丙醇、纯水对衬底依次清洗5~10min，去除表面的有机物，然后将清洗后的硅片置于HF溶液中浸泡，刻蚀去除衬底表面的氧化层；（2）待步骤（1）中化学吸附饱和后，向反应腔中通入氮气或惰性气体进行吹扫，再通入氧源反应；所述氧源为水；（3）待步骤（2）反应结束后，向反应腔中通入氮气或惰性气体进行吹扫，完成单个生长循环；（4）重复上述生长循环，在衬底表面生长得到所述TeO2薄膜；生长TeO2薄膜前，对反应腔及碲前驱体源进行加热处理；所述碲前驱体源的加热温度为120-150℃；所述反应腔的加热温度为150-400℃。
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