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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种高质量ε‑Ga2O3外延薄膜的快速生长方法，主要解决现有ε‑Ga2O3外延薄膜结晶质量差、缺陷密度高及生长速率低的问题。其实现方案为：选取衬底并进行清洗；将清洗后的衬底放入MOCVD的反应腔内进行退火处理；向反应室同时通入O2和两种不同流入方式的N2，获得O原子、Ga原子及间歇性的Sn原子，通过Ga原子和Sn原子两者之间的金属交换机制，促进Ga原子与O原子的快速反应结合，以在退火后的衬底上生长ε‑Ga2O3外延薄膜，再对其进行冷却处理，完成外延薄膜的制备。本发明通过优化工艺参数显著降低了外延薄膜的缺陷密度，同时提升了薄膜的生长速率和结晶质量，可用于紫外光检测器和高频传感器的高效制备。
主权项：1.一种高质量ε-Ga2O3外延薄膜的快速生长方法，其特征在于，包括以下步骤：1将衬底依次放入丙酮溶液、异丙醇溶液进行超声清洗并吹干；2对清洗后的衬底上进行850℃-950℃的高温退火处理：3在退火后的衬底上生长间歇Sn辅助ε-Ga2O3薄膜：3a向反应室同时通入N2和O2：将载气N2持续通入三乙基镓TEGa有机源瓶，以将TEGa分子带入反应腔室，为其持续提供Ga原子；将载气N2间歇通入四甲基二乙基锡TDMASn有机源瓶，以将TDMASn分子带入反应腔室，为其间歇性提供Sn原子；将O2通过持续通入反应腔室，为其提供O原子；通过Ga、Sn和O这三原子在高温退火后的衬底表面共同作用形成ε-Ga2O3薄膜；3b设置反应室温度为380-480℃，重复步骤3a直到Sn气路的间歇性通入时间达到设定时间60-80min，在高温退火后的衬底表面形成厚度为1-1.5μm的ε-Ga2O3薄膜。4将外延ε-Ga2O3薄膜在O2气氛中冷却至室温后关闭真空阀，再通入高纯N2直至反应室压强与外界持平时取出，完成ε-Ga2O3外延薄膜的制备。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 一种高质量ε-Ga2O3外延薄膜的快速生长方法
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