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申请/专利权人：徐州美兴光电科技有限公司
摘要：本申请公开了涉及纳米压印技术领域的一种纳米压印图形底膜优化方法，优化方法如下：清洗、涂胶、曝光、显影、纳米压印、电感耦合等离子体、等离子增强化学气相沉积、自动光学检测、获得样品表面形貌信息并观察样品表面形态。涂胶装置包括外罩壳、储胶件、点胶组件、驱动组件和刮胶组件，其中，储胶件设置在外罩壳内，储胶件包括外箱体和输送管，其中，外箱体设置在外罩壳内，输送管设置的两端分别与外箱体和点胶组件连接，点胶组件设置在外罩壳内腔顶壁，点胶组件包括传动机构和送料机构。由此，减少底膜残留，提高客户端的稳定性，采用光刻胶涂胶过程中同步完成对多余光刻胶进行回收再利用，提高光刻胶回收时的效率并减少资源的浪费。
主权项：1.一种纳米压印图形底膜优化方法，其特征在于，优化方法如下：清洗：通过化学药液和去离子水清洗晶片表面，在化学药液与流体效应的辅助下去除晶片表面的污染物、有机物和离子等；涂胶：将清洗后的晶片放置在涂胶装置中，涂胶装置吸附晶片并通过喷嘴对晶片中心喷涂正性光刻胶，电机带动转动，由于离心力的作用光刻胶向四周均匀地分布在晶片上；曝光：涂覆好光刻胶的晶片放置在光刻机上，通过UV光源将光刻板上的图案映射在晶片表面的光刻胶上，从而形成需要的图形；显影：去除多余的光刻胶，按照比例显现出光刻板上的图形；纳米压印：通过光刻胶辅助，将模板上的结构转移到相应的衬底上；电感耦合等离子体：利用电流通入线圈产生磁场，磁场感应出电场，电场加速电子，经由碰撞解离形成电浆，再利用Biaspowre将离子往下拉去轰击wafer以达到刻蚀的效果；等离子增强化学气相沉积：借助微波和射频等使含有薄膜成分原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜；自动光学检测：基于光学原理来对wafer表面的缺陷进行监测并分规；获得样品表面形貌信息并观察样品表面形态：利用原子力显微镜获得样品表面形貌信息，利用电子扫描显微镜二次成像来观察样品的表面形态。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 徐州美兴光电科技有限公司 一种纳米压印图形底膜优化方法
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