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申请/专利权人：讯创(天津)电子有限公司
摘要：本申请涉及金属化镀膜技术领域，具体涉及一种高金属致密度的LMC生产工艺方法。该方法包括：对于玻璃基材通过超声波清洗步骤、表面预处理步骤、金属化步骤后获取镀膜后的玻璃基材；获取镀膜效率以及镀膜表面图像；通过对镀膜表面图像每个连通域的所有像素点和边缘像素点的分析获取连通域的靶材沉积特征值；通过对所有连通域的特征值将连通域分类，获取特征值大的一类的靶材沉积颗粒分布系数；根据靶材沉积颗粒分布系数和镀膜的效率获取玻璃基材的最佳工作电流，基于最佳工作电流制造LMC膜。本申请在提高基材的膜层沉积速率的同时降低基材的膜层表面出现大颗粒的靶材沉积颗粒区域的质量问题。
主权项：1.一种高金属致密度的LMC生产工艺方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：在任意一个工作电流下，对于玻璃基材通过超声波清洗步骤、表面预处理步骤、金属化步骤后获取镀膜后的玻璃基材；根据镀膜的厚度和镀膜的时间计算镀膜的效率；采集玻璃基材镀膜后表面的图像，对表面的图像预处理后得到膜层表面形貌图像；将膜层表面形貌图像通过边缘检测和连通域分析后获取若干连通域，根据连通域内所有像素点的灰度值分布和差异、连通域边缘处像素点的梯度以及灰度与膜层表面形貌图像整体灰度的差异获取连通域的靶材沉积特征值；通过靶材沉积特征值的大小将所有连通域分为两类，通过靶材沉积特征值大的一类的所有连通域的面积获取玻璃基材在工作电流下的靶材沉积颗粒分布系数；根据玻璃基材在工作电流下的靶材沉积颗粒分布系数和镀膜的效率获取玻璃基材的最佳工作电流，基于最佳工作电流制造LMC膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 讯创(天津)电子有限公司 一种高金属致密度的LMC生产工艺方法
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