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申请/专利权人：浙江驰宇空天技术有限公司
摘要：本发明属于铝基碳化硅材料制备技术，公开了一种铝基碳化硅航天结构件尺寸稳定性工艺，所述工艺包括：1将铝基碳化硅材料粗产品由室温升温2h至160℃，保温1h，再升温2h至280℃，保温1h，继续升温2h至320℃，保温8h后冷却至室温；2将降至室温的铝基碳化硅材料粗产品采用液氮浸泡，降温2h至‑100℃，保温1h，再降温2h至‑160℃，保温1h，继续降温2h至‑200℃，保温8h后升温至室温；3将升至室温的铝基碳化硅材料粗产品升温2h至160℃，保温1h，继续升温2h至280℃，保温1h，继续升温2h至320℃，保温8h后冷却至室温。该方法降低了铝基碳化硅材料的热膨胀系数，解决了现有工艺所得材料内部不均匀、存在较大内应力、影响产品的尺寸精度及形位精度的问题。
主权项：1.一种铝基碳化硅航天结构件尺寸稳定性工艺，其特征在于，所述工艺包括以下步骤：步骤1：将铝基碳化硅材料粗产品由室温升温至160℃，升温时间为2h，保温1h，继续升温至280℃，升温时间为2h，保温1h，继续升温至320℃，升温时间为2h，保温8h，然后自然冷却至室温；步骤2：将降至室温的铝基碳化硅材料粗产品采用液氮浸泡，降温至-100℃，降温时间为2h，保温1h，继续降温至-160℃，降温时间为2h，保温1h，继续降温至-200℃，降温时间为2h，保温8h，然后自然升温恢复至室温；步骤3：将升至室温的铝基碳化硅材料粗产品由室温升温至160℃，升温时间为2h，保温1h，继续升温至280℃，升温时间为2h，保温1h，继续升温至320℃，升温时间为2h，保温8h，然后自然冷却至室温；其中，所述步骤1-步骤3中所述温度可以有±10℃的波动，所述时间可以有±10min的波动。
全文数据：
权利要求：
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