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申请/专利权人：象朵创芯微电子(苏州)有限公司

摘要：本公开实施例提供一种声表面波滤波器芯片结构和制造方法。该结构包括：基底，包括第一衬底、位于第一衬底表面的介质层和位于介质层表面的压电层；第一金属层，位于压电层表面，其中第一金属层至少被分为第一金属层谐振器部、第一金属层谐振器间隔部、第一金属层谐振器电气连接部和第一金属层芯片周边部；第二金属层，包括第二金属层谐振器间隔部、第二金属层谐振器电气连接部和第二金属层芯片周边部；第三金属层，包括第三金属层谐振器间隔部、第三金属层谐振器电气连接部和第三金属层谐振器周边部；第二衬底，位于第三金属层之上，其靠近第一衬底一侧的表面和第三金属层相连；空腔结构，位于第二衬底和第一金属层谐振器部之间。

主权项：1.一种声表面波滤波器芯片结构，其特征在于，包括：基底，包括第一衬底、位于第一衬底表面的介质层和位于介质层表面的压电层；第一金属层，位于压电层表面，其中第一金属层至少被分为第一金属层谐振器部、第一金属层谐振器间隔部、第一金属层谐振器电气连接部和第一金属层芯片周边部，其中第一金属层周边部封闭环绕芯片周边；第二金属层，包括第二金属层谐振器间隔部、第二金属层谐振器电气连接部和第二金属层芯片周边部，其中第二金属层谐振器间隔部位于第一金属层谐振器间隔部的表面，第二金属层谐振器电气连接部位于第一金属层谐振器电气连接部的表面，第二金属层芯片周边部位于第一金属层芯片周边部的表面，其中第二金属层周边部封闭环绕芯片周边；第三金属层，包括第三金属层谐振器间隔部、第三金属层谐振器电气连接部和第三金属层谐振器周边部，其中第三金属层谐振器间隔部位于第二金属层谐振器间隔部表面，第三金属层谐振器电气连接部位于第二金属层谐振器电气连接部表面，第三金属层谐振器周边部位于第二金属层芯片周边部表面，其中第三金属层周边部封闭环绕芯片周边；第二衬底，位于第三金属层之上，其靠近第一衬底一侧的表面和第三金属层相连；空腔结构，位于第二衬底和第一金属层谐振器部之间；钝化层，所述钝化层覆盖第一金属层谐振器部的表面、第一金属层谐振器间隔部的一部分表面、第一金属层谐振器电气连接部的一部分表面和第一金属层芯片周边部的一部分表面，其中未被所述钝化层覆盖的第一金属层的表面与第二金属层直接相连。

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