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申请/专利权人：华南理工大学
摘要：本发明属于太阳电池的技术领域，公开了一种含有火焰合成镍金纳米球阵列的砷化镓太阳电池及其制备。所述砷化镓太阳电池包括从下到上依次层叠的背面电极、砷化镓衬底、镍金纳米球阵列层、石墨烯层、正面电极；所述镍金纳米球阵列层是通过以下方法制备得到：在基底上依次蒸镀隔离层，镍层和金层，蒸镀后置于火焰内焰中进行燃烧，基底上形成金属纳米球阵列即镍金纳米球阵列，然后去除基底和隔离层。本发明还公开了砷化镓太阳电池的制备方法。本发明采用火焰处理法制备镍金纳米球阵列层，所制备的镍金纳米球阵列提升了石墨烯砷化镓异质结太阳电池的光电转换效率。本发明的火焰处理法更加便捷。本发明的太阳电池具有较好的光电性能。
主权项：1.一种含有火焰合成镍金纳米球阵列的砷化镓太阳电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：1）在基底上蒸镀隔离层，然后蒸镀镍层和金层，蒸镀后置于火焰内焰中进行燃烧，基底上形成金属纳米球阵列即镍金纳米球阵列；2）在金属纳米球阵列的表面进行石墨烯的转移，在石墨烯层的表面旋涂高分子溶液并成膜，随后去除基底和隔离层，获得金属纳米球阵列石墨烯层高分子薄膜；3）在砷化镓衬底的一表面蒸镀背面电极，退火处理，获得砷化镓衬底背面电极；当太阳电池中含有绝缘层时，在砷化镓衬底表面制备绝缘层，该表面与蒸镀背面电极的表面为对立面；绝缘层位于砷化镓衬底表面的两端；或者步骤2）中隔离层未完全去除，所述绝缘层为未去除的隔离层，未去除的隔离层位于金属纳米球阵列的两端；4）将金属纳米球阵列石墨烯层高分子薄膜转移至砷化镓衬底背面电极上，其中金属纳米球阵列设置在砷化镓衬底的表面上，该表面与蒸镀背面电极的表面为对立面；去除高分子薄膜，获得背面电极砷化镓衬底金属纳米球阵列石墨烯层；5）在石墨烯层上制备正面电极，获得砷化镓太阳电池。
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百度查询： 华南理工大学 一种含有火焰合成镍金纳米球阵列的砷化镓太阳电池及其制备
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