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申请/专利权人：汉高股份有限及两合公司
摘要：本发明涉及一种用于屏蔽系统级封装SIP组件免受电磁干扰的方法，其包括在单个层合工艺中将预成型EMI屏蔽膜层合在组件上。所述EMI屏蔽膜可以是在真空层合工艺中可模压的，以覆盖SIP组件并基本上填满形成于组件中并位于相邻部件模块之间的沟槽。因此，通过施用单个EMI屏蔽膜，来屏蔽所述SIP组件免受EMI。
主权项：1.用于屏蔽系统级封装组件免受电磁干扰的方法，其中所述系统级封装组件包括基板；安装在所述基板上的多个部件模块，其中每个所述部件模块包括一个或多个部件；覆盖所述基板上的部件的绝缘体；以及形成于绝缘体中并位于相邻部件模块之间的沟槽，其中所述沟槽的最大宽度为10-100μm，所述方法包括：提供自支撑EMI屏蔽膜预成型件，其在20-250℃具有小于1GPa的拉伸模量；将所述自支撑EMI屏蔽膜预成型件真空层合在所述绝缘体的外表面上和所述沟槽中，以在所述沟槽中形成涂层并覆盖所述绝缘体的外表面；和将所述涂层固化至拉伸模量为至少50MPa。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 汉高股份有限及两合公司 屏蔽系统级封装组件免受电磁干扰的方法
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