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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种用于Micro‑LED的外延片及其制备方法、Micro‑LED，涉及半导体光电器件领域。其中，外延片依次包括衬底、缓冲层、N型GaN层、有源层和P型GaN层；有源层依次包括第一多量子阱层、第二多量子阱层、第一空穴注入增强层、第二空穴注入增强层和第三多量子阱层；第一多量子阱层包括交替层叠的InxGa1‑xN层和第一GaN层，第二多量子阱层包括交替层叠的InyGa1‑yN层和第二GaN层，第一空穴注入增强层包括交替层叠的InαGa1‑αN层和AlγInβGa1‑γ‑βN层，第二空穴注入增强层包括交替层叠的InδGa1‑δN层和第三GaN层，第三多量子阱层包括交替层叠的InzGa1‑zN层和第四GaN层；0.3≥y＞x＞z≥0.1，z＞δ≥α≥β≥0.01。实施本发明，可提升Micro‑LED的光效。
主权项：1.一种用于Micro-LED的外延片，其特征在于，包括衬底，依次层叠于所述衬底上的缓冲层、N型GaN层、有源层和P型GaN层；其中，所述有源层包括依次层叠于所述N型GaN层上的第一多量子阱层、第二多量子阱层、第一空穴注入增强层、第二空穴注入增强层和第三多量子阱层；所述第一多量子阱层包括交替层叠的InxGa1-xN层和第一GaN层，所述第二多量子阱层包括交替层叠的InyGa1-yN层和第二GaN层，所述第一空穴注入增强层包括交替层叠的InαGa1-αN层和AlγInβGa1-γ-βN层，所述第二空穴注入增强层包括交替层叠的InδGa1-δN层和第三GaN层，所述第三多量子阱层包括交替层叠的InzGa1-zN层和第四GaN层；其中，0.3≥y＞x＞z≥0.1，z＞δ≥α≥β≥0.01。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 用于Micro-LED的外延片及其制备方法、Micro-LED
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