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申请/专利权人：江苏穿越光电科技有限公司
摘要：本发明属于Micro‑LED芯片技术领域，公开了一种红光倒装Micro‑LED芯片及其制造方法。本发明对重掺杂n‑GaAs欧姆接触层进行选择性刻蚀，形成与N型通孔对应的n‑GaAs点接触阵列，能够有效减少GaAs层对红光光子的吸收，显著提升AlGaInP基红光倒装Micro‑LED芯片的光提取效率。本发明采用通孔式双层电极，解决了传统AlGaInP基红光Micro‑LED芯片的p电极及n电极间距很大难以形成倒装结构的问题，且能够提高芯片的电流拓展性能、降低工艺难度。
主权项：1.一种红光倒装Micro-LED芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、在准确晶格匹配的GaAs衬底层上生长AlGaInP基外延结构，所述AlGaInP基外延结构由下而上包括：n-InGaP蚀刻阻挡层、重掺杂n-GaAs欧姆接触层、n-AlGaInP层、GaInPAlGaInP多量子阱层、p-AlGaInP层、p-GaP层及重掺杂p-GaP接触层；步骤2、对所述AlGaInP基外延结构进行刻蚀，形成直达所述重掺杂n-GaAs欧姆接触层的N型通孔；步骤3、在所述重掺杂p-GaP接触层上沉积第一层P电极；步骤4、在所述第一层P电极的表面、所述AlGaInP基外延结构的侧壁以及所述N型通孔的侧壁均沉积绝缘层；步骤5、在所述N型通孔中沉积第一层N电极；步骤6、沉积钝化层，对所述钝化层进行刻蚀形成N电极互连孔与P电极接触孔；步骤7、蒸镀第二层电极；将所述第二层电极分隔为第二层N电极和第二层P电极，所述第一层N电极和所述第二层N电极通过所述N电极互连孔互相连接；步骤8、蚀刻所述GaAs衬底层和所述n-InGaP蚀刻阻挡层；步骤9、对所述重掺杂n-GaAs欧姆接触层进行选择性刻蚀，形成n-GaAs点接触阵列；所述n-GaAs点接触阵列包含的n-GaAs点接触的数量、形状、尺寸均与所述N型通孔相同。
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权利要求：
百度查询： 江苏穿越光电科技有限公司 一种红光倒装Micro-LED芯片及其制造方法
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