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基于选择性刻蚀制备大面积取向分子筛混合基质膜的方法 

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申请/专利权人:浙江大学

摘要:本发明公开了一种基于选择性刻蚀制备大面积取向分子筛混合基质膜的方法,通过选择性刻蚀来调整MFI分子筛晶体的形态至b取向的片状材料,最大程度暴露0k0晶面,为纳米片在聚合物基质内的有序排列提供基础。利用溶液浇筑策略及调控溶剂挥发温度,结合pebax在室温下的凝胶固化特性,有效防止分子筛材料团聚,使其在聚合物基质中形成平面排列,显著提升垂直传输孔道的暴露程度,从而提高了膜的分子传输效率、气体和液体的渗透通量与选择性,同时增强了膜的稳定性和应用寿命。本方法克服了传统填料与聚合物之间的不兼容性,成功制备了大面积柔性混合基质MFI分子筛膜及超薄混合基质膜,有效避免了填料聚集和非选择性缺陷。

主权项:1.一种基于选择性刻蚀制备大面积取向分子筛混合基质膜的方法,其特征在于,包括:1片状MFI分子筛晶体的合成:将摩尔比为0.15TPAOH:1SiO2:1.6NH4F:15~300H2O的混合物加入均相反应烘箱,加热旋转,得到片状MFI分子筛晶体,煅烧去除其中的模板剂;2片状MFI分子筛晶体的晶态调整:将片状MFI分子筛晶体置于TAPOH溶液中,对所述片状MFI分子筛晶体刻蚀后进行尖端超声,离心,得到无孪晶和交叉的分子筛;3混合基质膜的制备:配置聚合物溶液和分子筛溶液,将所述聚合物溶液和分子筛溶液混合并浇筑至培养皿中,静置后进行过夜干燥和真空干燥,得到混合基质膜;4混合基质膜的后处理:用去离子水将混合基质膜浸泡后从培养皿中剥离并干燥。

全文数据:

权利要求:

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