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申请/专利权人：电子科技大学
摘要：本发明属于模拟集成电路领域，具体为一种低漏电采样保持电路。本发明包括低漏电开关S1、采样电容C1、输出级运算放大器和反馈开关S2；本发明通过复用输出级运算放大器，将低漏电开关S1中MOS管的源极与漏极钳位在同一电压，降低了MOS管源极与漏极之间因为晶体管亚阈值导电造成的漏电；并提供了使用隔离MOS管搭建低漏电开关结构，衬底电位不再与地相连接，消除了采样电容到地的漏电路径，进一步降低了上述低漏电开关S1结构中源极漏极之间寄生二极管造成的漏电。
主权项：1.一种低漏电采样保持电路，其特征在于：包括低漏电开关S1，采样电容C1，输出级运算放大器和反馈开关S2；所述低漏电开关S1第一端作为输入端，第二端连接采样电容C1上极板与输出级运算放大器正输入端；采样电容C1下极板与地连接；输出级运算放大器输出端与采样保持电路输出端连接，且输出级运算放大器输出端与其自身的负输入端连接，形成单位增益负反馈回路；反馈开关S2第二端与输出级运算放大器的输出端和负输入端连接；反馈开关S2第一端与低漏电开关S1连接，反馈开关S2栅极连接控制信号K2；所述低漏电开关S1由N个MOS管M1…MN依次串联构成，N≥2，其中MOS管M1衬底连接M1源端，MOS管M2衬底连接M2漏端，以奇数MOS管M2m+1衬底连接自身源端，偶数MOS管M2m衬底连接自身漏端的方式，实现相邻两个开关MOS管之间衬底连接方向相反，m＝0,1,2……，M1…MN的栅极均连接控制信号K1；反馈开关S2第一端连接至低漏电开关S1中相邻MOS管串联的中间节点Y，N个MOS管共计N-1个中间节点Y。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种低漏电采样保持电路
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