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申请/专利权人：山东大学
摘要：本发明涉及基于聚焦离子束加工周期性阵列结构增强铌酸锂晶体导电性的方法，该方法采用聚焦离子束刻蚀技术，利用离子束轰击对样品表面进行物理刻蚀，根据设计的版图制备周期性阵列，改变介电质晶体的晶格空间布局，重构能带结构，减小价带与导带之间的能隙，从而增强材料的导电性。该方法不引入杂质、不改变材料原有性质、加工灵活、流程短、时间快，便于大规模推广应用。
主权项：1.基于聚焦离子束加工周期性阵列结构增强铌酸锂晶体导电性的方法，包括步骤如下：1将切割、抛光好的晶体进行清洗；2使用磁控溅射技术在晶体的待加工面沉积金原子束，在晶体的待加工面覆盖一层薄金膜；3使用聚焦离子束技术在晶体表面刻蚀周期性阵列；4使用碘化钾水溶液清洗掉晶体表面的金膜，完成制备。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东大学 基于聚焦离子束加工周期性阵列结构增强铌酸锂晶体导电性的方法
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