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申请/专利权人：气相科技(武汉)有限公司
摘要：本发明公开了一种基于3C‑SiC薄膜的电极材料及其制备方法，该电极材料由单晶Si基板及生长在基板上的具有多孔结构的3C‑SiC薄膜组成。其制备方法步骤如下：1将单晶Si基板放入沉积室，抽真空，使沉积室内压强降至10Pa以下；2从沉积室侧上方向沉积室内通入H2，打开激光照射单晶Si基板表面，利用H2在高温条件下刻蚀单晶Si基板，使基板表面形成凹凸结构，刻蚀结束后，从沉积室侧上方向沉积室内通入含有HMDS的载流气，调节沉积室内沉积压强，沉积生长3C‑SiC多孔薄膜。该电极材料具有高比电容，可显著提高超级电容器电容量，并且3C‑SiC薄膜与Si基板连接较为牢固，适用于超级电容器领域。
主权项：1.一种基于3C-SiC薄膜的电极材料的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：1）将单晶Si基板放入冷壁式激光化学气相沉积装置沉积室的基板座上，抽真空，使沉积室内压强降至10Pa以下；2）从沉积室侧上方向沉积室内通入H2，打开激光照射单晶Si基板表面，使单晶Si基板升温至1200~1280℃，保持温度稳定，利用H2在高温条件下刻蚀单晶Si基板，使基板表面形成凹凸结构，刻蚀结束后，保持沉积室内的温度和通入的气流量不变，从沉积室侧上方向沉积室内通入含有HMDS的载流气，同时通入H2作为稀释气，并调节沉积室内沉积压强，沉积生长3C-SiC多孔薄膜，沉积结束后关闭激光、H2和载流气，将沉积室内抽真空并自然冷却至室温，得到基于3C-SiC薄膜的电极材料，所述3C-SiC薄膜表面呈菜花状形貌，呈柱状生长，且晶柱之间存在间隙。
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