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申请/专利权人：湖北科技学院
摘要：本发明提供了一种能实现较大负古斯‑汉森位移的光子晶体，属于光学技术领域。包括石墨烯单层、两个周期性晶体结构和一个缺陷层，所述周期性晶体结构包括若干第一电介质层和若干与第一电介质层一一对应的第二电介质层，所述第一电介质层和第二电介质层交替分布，两个周期性晶体结构对称分布在石墨烯单层的两侧，所述缺陷层位于靠近出射方向的周期性晶体结构的外侧。本发明能够应用于科学上实验检测负古斯‑汉森位移的存在和角位移传感器。
主权项：1.一种能实现较大负古斯-汉森位移的光子晶体，其特征在于，包括石墨烯单层G、两个周期性晶体结构和一个缺陷层C，所述周期性晶体结构包括若干第一电介质层A和若干与第一电介质层A一一对应的第二电介质层B，所述第一电介质层A和第二电介质层B交替分布，两个周期性晶体结构对称分布在石墨烯单层G的两侧，所述缺陷层C位于靠近出射方向的周期性晶体结构的外侧；整个结构为ABNGBANC，N为布拉格周期数；第一电介质层A的厚度da＝0.281μm，第二电介质层B的厚度db＝0.165μm，缺陷层C的厚度dc＝0.265μm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北科技学院 一种能实现较大负古斯-汉森位移的光子晶体
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