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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
摘要：本发明公开一种单多晶EEPROM开关单元结构，属于微电子器件领域，包括p型Si衬底、浅槽隔离STI、栅氧化层、多晶层和衬垫。p型Si衬底上形成有高压p阱和n阱；若干个浅槽隔离STI将p型Si衬底的表面分成三部分区域：开关管区域、编程管区域和控制栅区域；编程管区域的表面通过n型离子掺杂形成有隧穿注入层；栅氧化层位于p型Si衬底的表面；多晶层淀积于栅氧化层的表面，多晶层覆盖开关管区域、编程管区域、控制栅区域以及浅槽隔离STI；衬垫位于多晶层的两侧，通过衬垫进行栅自对准工艺在p型Si衬底上形成有N+离子注入层和P+离子注入层。本发明可实现重复且精确的修调功能；具有修调灵活、修调成品率高、工艺成本低且易实现工艺移植等突出优点。
主权项：1.一种单多晶EEPROM开关单元结构，其特征在于，包括：p型Si衬底1，所述p型Si衬底1上形成有高压p阱2和n阱3；若干个浅槽隔离STI4，将所述p型Si衬底1的表面分成三部分区域：开关管区域A、编程管区域B和控制栅区域C；其中所述编程管区域B的表面通过n型离子掺杂形成有隧穿注入层8；栅氧化层5，位于所述p型Si衬底1的表面；多晶层6，淀积于所述栅氧化层5的表面，所述多晶层6覆盖所述开关管区域A、所述编程管区域B、所述控制栅区域C以及浅槽隔离STI4；衬垫7，位于所述多晶层6的两侧；所述控制栅区域C上方的多晶层6面积比所述开关管区域A和所述编程管区域B上方的多晶层6面积要大，具体的面积比需根据实际的操作电压进行调整。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第五十八研究所 一种单多晶EEPROM开关单元结构
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