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申请/专利权人：西安交通大学
摘要：本发明涉及催化剂技术领域，具体涉及一种非金属掺杂Cu催化电极及其制备方法和应用。非金属掺杂Cu催化电极的成分为Cu‑X，X＝N或O。本发明通过磁控溅射的方法，以Cu靶为靶材，同时在X靶或者在X气体下，进行直流溅射Cu靶或共溅射Cu靶和非金属靶材，沉积得到Cu‑X薄膜，进而得到Cu‑X薄膜催化电极。该薄膜催化电极在展现出优异的电催化CO2还原性能，C2+产物的法拉第效率高达77％，并且在较宽的电位下可以保持C2+法拉第效率在60以上；解决现有技术制备的Cu催化材料存在产物选择性差，难以实现大面积制备的问题。
主权项：1.一种非金属掺杂Cu催化电极，其特征在于，该非金属掺杂Cu催化电极是采用磁控溅射的方法在基底的表面沉积形成Cu-X薄膜，其中，X为N、O中的任意一种。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安交通大学 一种非金属掺杂Cu催化电极及其制备方法和应用
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