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申请/专利权人：北京交通大学
摘要：本发明提供一种窄谱带蓝光Cu‑Ga‑SZnS纳米晶的制备方法，属于量子点合成技术领域，基于热注射法制备窄谱带蓝光Cu‑Ga‑SZnS纳米晶，制备使用的药品为IB族、IIIA族金属盐及VIA族单质、化合物；光致发光光谱半峰全宽小于50nm，光致发光峰位于470‑480nm处。本发明Cu‑Ga‑S纳米晶使用ZnS壳层包覆后，在量子点表面形成梯度分布的富锌合金结构，在470‑480nm处出现明显的窄谱带光致发光峰，半峰全宽为36‑46nm，实现了窄谱带发光特性，具有构筑电致发光器件的前景；具有优异的结晶性、分散性及发光特性，做为发光层进行电致发光二极管的构筑，能够获得高色纯度的无镉QLED器件；合成方式简便，材料廉价易得，原材料无毒无害，反应时间较短，便于产业化大批量生产。
主权项：1.一种窄谱带蓝光Cu-Ga-SZnS纳米晶的制备方法，其特征在于，包括：基于热注射法制备窄谱带蓝光Cu-Ga-SZnS纳米晶；光致发光光谱半峰全宽小于50nm，光致发光峰位于470-480nm处；所述窄谱带蓝光Cu-Ga-SZnS纳米晶的制备步骤包括：称量Cu源、Ga源、S源及溶剂与配体混合，作为成核前驱体溶液，真空除气搅拌溶解，之后通入氮气保温备用；其中，所述配体包括正十二硫醇、正十硫醇或正辛硫醇；所述溶剂包括油酸、油胺或1-十八烯；铜、镓、硫前驱体摩尔配比为1:30～40:30～40；称量Zn源及溶剂与配体混合，作为锌前驱体溶液，真空除气搅拌溶解，之后通入氮气保温备用；其中，所述配体包括正十二硫醇或正十硫醇；溶剂和配体的体积比为9～10：2；每1mmol锌源加入0.5-0.7mL配体；加热温度为120～150℃；保温时间为30～40min；将锌前驱体溶液注入成核前驱体溶液，保温，随后升温并保温；待反应产物冷却后，在反应产物溶液中加入异丙醇，离心并分离沉淀，在沉淀中加入正己烷完全溶解后再加入乙醇完全沉淀，重复多次，得到窄谱带发光量子点。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京交通大学 窄谱带蓝光Cu-Ga-S/ZnS纳米晶的制备方法
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