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申请/专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
摘要：本发明涉及半导体封装技术领域，公开了一种有源转接板制备方法及有源转接板，其中，有源转接板制备方法包括：形成有源器件，有源器件具有衬底层和位于其一侧表面的low‑k介质层；形成贯穿low‑k介质层，且至少部分嵌入衬底层的隔离环；形成贯穿位于隔离环内的low‑k介质层，且至少部分嵌入衬底层中的第一导电柱；在low‑k介质层背离衬底层的一侧表面形成第一重布线层，第一重布线层与第一导电柱电连接；将衬底层背离low‑k介质层的一侧减薄，并露出第一导电柱；其中，隔离环采用憎水性材质。清洗硅通孔第一导电柱的水汽仅存隔离环内，并不会传输至隔离环外，避免了隔离环外的low‑k介质发生水解反应。
主权项：1.一种有源转接板制备方法，其特征在于，包括：形成有源器件1，所述有源器件1具有衬底层11和位于其一侧表面的low-k介质层12；形成贯穿所述low-k介质层12，且至少部分嵌入所述衬底层11的隔离环21；形成贯穿位于所述隔离环21内的所述low-k介质层12，且至少部分嵌入所述衬底层11中的第一导电柱31；在所述low-k介质层12背离所述衬底层11的一侧表面形成第一重布线层4，所述第一重布线层4与所述第一导电柱31电连接；将所述衬底层11背离所述low-k介质层12的一侧减薄，并露出所述第一导电柱31；其中，所述隔离环21采用憎水性材质。
全文数据：
权利要求：
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