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申请/专利权人：和舰芯片制造(苏州)股份有限公司
摘要：本发明公开了一种离子注入气体利用率的侦测方法，包括：离子注入机台对第一批次晶圆启动注入程序；获取离子源端的气体流量设定值，在注入过程中获取注入时的运行时间、注入剂量；注入程序结束后，基于气体流量设定值、运行时间以及注入剂量计算注入第一批次晶圆的气体利用率；循环计算第N批次晶圆的气体利用率，响应于某一批次晶圆的气体利用率异常，离子注入机台发出警报。本发明还提供了一种离子注入气体利用率的侦测装置。本发明的方法可以快速计算出注入一组晶圆过程中的气体利用率，并且方便不同程式不同机台间快速对比，工程师基于气体利用率的大小即可在注入程序完成后快速判断是否存在气体浪费。
主权项：1.一种离子注入气体利用率的侦测方法，其特征在于，包括：离子注入机台对第一批次晶圆启动注入程序；获取离子源端的气体流量设定值，在注入过程中获取注入时的运行时间、注入剂量；注入程序结束后，基于所述气体流量设定值、所述运行时间以及所述注入剂量计算注入所述第一批次晶圆的气体利用率；循环计算第N批次晶圆的气体利用率，响应于某一批次晶圆的气体利用率异常，所述离子注入机台发出警报。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 和舰芯片制造(苏州)股份有限公司 一种离子注入气体利用率的侦测方法及装置
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