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申请/专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
摘要：提出一种半导体激光二极管100，所述半导体激光二极管具有半导体层序列2，所述半导体层序列具有有源层3，所述有源层具有主延伸平面并且设计用于，在运行时在有源区域5中产生光8并且经由光耦合输出面6放射，其中有源区域5从与光耦合输出面6相对置的后侧面7沿着纵向方向93在主延伸平面中朝向光耦合输出面6延伸，其中半导体层序列2具有表面区域20，在所述表面区域上以直接接触的方式施加有连通的接触结构4，其中接触结构4在至少一个第一接触区域241中具有与表面区域20直接接触的第一电接触材料41并且在至少一个第二接触区域242中具有与表面区域20直接接触的第二电接触材料42，并且其中第一接触区域和第二接触区域241，242彼此邻接。
主权项：1.一种半导体激光二极管100，所述半导体激光二极管具有半导体层序列2，所述半导体层序列具有有源层3，所述有源层具有主延伸平面并且设计用于，在运行时在有源区域5中产生光8并且经由光耦合输出面6放射，其中所述有源区域5从与所述光耦合输出面6相对置的后侧面7沿着在所述主延伸平面中的纵向方向93朝向所述光耦合输出面6延伸，其中所述半导体层序列2具有表面区域20，在所述表面区域上以直接接触的方式施加有连通的接触结构4，其中所述接触结构4在至少一个第一接触区域241中具有与所述表面区域20直接接触的第一电接触材料41，并且在至少一个第二接触区域242中具有与所述表面区域20直接接触的第二电接触材料42，其中所述第一接触区域241和所述第二接触区域242彼此邻接，并且其中所述第一电接触材料41和所述第二电接触材料42形成连通的接触层，在所述接触层上施加有接合层15，其中所述表面区域20通过所述半导体层序列2的半导体接触层21形成，其中所述半导体接触层21在所述第一接触区域241中具有第一导电性并且在所述第二接触区域242中具有第二导电性，和或其中所述半导体接触层21局部地具有改性的材料结构22。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 欧司朗光电半导体有限公司 半导体激光二极管
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