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申请/专利权人：中国科学院近代物理研究所
摘要：本发明公开了一种通过物理吸附有效避免铌三锡薄膜表面生成残余锡滴的方法。本发明采用物理吸附法避免镀膜过程中产生锡滴，包括如下1和或2：1在镀膜过程中的高温生长阶段结束后，关闭镀膜腔体下部位置处的锡源加热电源，或关闭镀膜腔体上部位置处的炉膛加热带电源，以在镀膜腔体的锡蒸汽入口处和出口处形成低温区冷阱，对镀膜腔体内部的锡蒸汽形成低温冷阱吸附；2在镀膜过程中，在镀膜腔体的锡蒸汽出口处设置陶瓷片，以吸附弥散的锡蒸汽。本发明物理吸附方法可有效避免在镀膜过程中在Nb3Sn薄膜表面出现锡滴，从而避免其影响Nb3Sn薄膜超导腔的射频超导性能；该方法可适当放宽对镀膜条件的精确控制，从而大幅度降低锡蒸汽扩散工艺的复杂性。
主权项：1.一种铌三锡薄膜的制备方法，包括采用锡蒸汽扩散法由铌衬底制备铌三锡薄膜的步骤；其特征在于：采用物理吸附法避免镀膜过程中产生锡滴；所述物理吸附法包括如下步骤1）或2）：1）在镀膜过程中的高温生长阶段结束后，关闭镀膜腔体下部位置处的锡源加热电源，或关闭所述镀膜腔体上部位置处的炉膛加热带电源，以在所述镀膜腔体的锡蒸汽入口处和出口处形成低温区冷阱，对所述镀膜腔体内部的锡蒸汽形成低温冷阱吸附；2）在镀膜过程中，在所述镀膜腔体的锡蒸汽出口处设置陶瓷片，以吸附弥散的锡蒸汽。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院近代物理研究所 一种通过物理吸附有效避免铌三锡薄膜表面生成残余锡滴的方法
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