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摘要：本文提供了用以形成一种集成电路的技术，该集成电路包括延伸穿过器件层以接触诸如正面源极或漏极接触部的一个或多个正面接触部的一个或多个背面导电结构。在示例中，沿一行这样的器件的给定半导体器件可以通过栅极切口与沿该行的相邻半导体器件分隔开。栅极切口可以是电介质壁，所述电介质壁延伸穿过围绕器件的半导体区的栅极结构的整个厚度并且还在器件的源极区或漏极区之间延伸。背面导电结构可以延伸穿过源极区或漏极区的部分并且还延伸穿过栅极沟槽内的电介质壁之一的部分，以接触源极区或漏极区上的一个或多个正面接触部。
主权项：1.一种集成电路，包括：在第一方向上从第一源极区或漏极区延伸的第一半导体区；在所述第一方向上从第二源极区或漏极区延伸的第二半导体区，所述第二源极区或漏极区与所述第一源极区或漏极区在不同于所述第一方向的第二方向上间隔开；围绕所述第一半导体区的第一栅极结构和围绕所述第二半导体区的第二栅极结构；位于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构下的电介质层；电介质壁，所述电介质壁位于所述第一半导体区和所述第二半导体区之间并且在所述第一方向上延伸，使得所述电介质壁在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间延伸；位于所述第一源极区或漏极区的顶表面上的第一接触部以及位于所述第二源极区或漏极区的顶表面上的第二接触部；以及导电结构，所述导电结构延伸穿过所述电介质层的整个厚度并且沿所述第一源极区或漏极区和所述第二源极区或漏极区的整个厚度延伸，以接触所述第一接触部和所述第二接触部之一或两者，其中，所述导电结构的部分还在所述第一方向上在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间延伸。
全文数据：
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百度查询： 英特尔公司 延伸穿过集成电路以与正面接触部相遇的背面导电结构
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