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申请/专利权人：天通凯巨科技有限公司
摘要：本发明公开了一种钽酸锂晶体的生长工艺，具体步骤包括配料压实、烧结装炉、升温引晶、扩肩、自动控制、降温退火等步骤，在长晶过程中通过调整坩埚位置，调整籽晶杆水冷套杆的进水量，并在晶体生长结束后的降温退火阶段增加保温措施，增加了晶体内部的温度梯度，降低了晶体内应力，减少晶体开裂，提升加工良率。
主权项：1.一种钽酸锂晶体的生长工艺，其特征在于，晶体生长通过控制上下部提升下降机构的进给速度，改变籽晶杆水冷套的进水速度等参数解决晶体后期多晶开裂的问题。包括以下步骤：a）配料压实：Li2CO3：Ta2O5按照摩尔比49%：51%混合，混料灌中加入包裹塑料外衣的铁球，以防止原料结块，原料混合24小时以上，在压力机上将原料压制成块;b）烧结装炉：将原料块放入马弗炉中烧结，温度：1350℃，时间：10小时，将烧结后的原料装入长晶炉中;c）升温引晶：将原料熔化，熔化后，降低加热功率0.2-0.5kw，在熔点附近恒温1h，将籽晶与熔体接触，根据液面温度调整加热功率，使籽晶表面少许熔化（缩颈）；然后开启提拉机构，使籽晶匀速上升20min，提拉速度4mm-8mmh;d）扩肩：缓慢降低加热功率至晶体横向生长，提拉速度1mmh-4mmh。在长晶进入肩部生长后期或等径段前期，调整坩埚位置，使坩埚缓慢上升，坩埚底托提升机构以0.5-3mmh的速度向上提升，相应增加籽晶杆提拉速度，增加值与坩埚底托提升速度值相同，同时增加籽晶杆的水冷套杆的进水量，从而增加晶体内部温度梯度;e）自动控制：扩肩直径达到5-30mm时，开启自动温控系统，设备根据晶体称重信号自行判断升降温幅度，提拉速度0.5mmh-5mmh;f）降温退火：长晶结束，缓慢降温退火，降温速率50-150℃h，增加保温措施同时降低籽晶杆水冷套的进水量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天通凯巨科技有限公司 一种钽酸锂晶体的生长工艺
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