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申请/专利权人：南京南瑞半导体有限公司;国网浙江省电力有限公司杭州市萧山区供电公司
摘要：本发明涉及半导体功率器件结构设计技术领域，特别是一种深接触孔绝缘栅双极晶体管元胞结构及制造方法，其包括N型漂移区、设置于N型漂移区上侧的接触沟槽、设置于N型漂移区上侧的P型体区、设置于P型体区上侧的N+型发射区、设置于N+型发射区上侧的多晶硅层，设置于多晶硅层下侧的场氧化层、设置于多晶硅层和场氧化层上侧的介质层、设置于介质层一侧的发射极金属化层，以及设置于N型漂移区背面的P+背面金属化层。本发明的有益效果为通过各结构配合使器件能够适用于高电压环境，实现快速开关，提高了电子注入效率，增强器件的导电效率，优化了器件内部的电场分布，提高器件的性能和可靠性，提高了器件的功率处理能力，提高了整体结构的适用性。
主权项：1.一种深接触孔绝缘栅双极晶体管元胞结构，其特征在于：包括，绝缘单元，以及设置于所述绝缘单元一侧的外部连接单元；所述外部连接单元底部低于绝缘单元底部1～2um。
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