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MEMS水平度传感器及其制造方法 

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申请/专利权人:深圳瑞纳电子技术发展有限公司

摘要:本发明提供了一种MEMS水平度传感器及其制造方法,以卡氏垂直坐标系为参照,包括;半导体基板,其表面与x‑y坐标在同一平面;位于所述半导体基板上的以z轴方向为对称轴的圆环空腔;位于所述圆环空腔内壁第一侧的多个相互分离的第一电极片;位于所述圆环空腔内壁第二侧的多个第二电极片,所述第二侧与第一侧相对,所述第二电极片和所述第一电极片一一对应;构置于所述圆环空腔内的惯性体,所述惯性体为导体,其可在所述圆环空腔内绕圆环空腔的对称轴转动,使得与所述惯性体接触的第一电极片和第二电极片导通。本发明实现了感测器件的微型化,大幅降低了制造成本,并且具有更高的抗冲击能力。

主权项:1.一种MEMS水平度传感器,其特征在于,以卡氏垂直坐标系为参照,包括;半导体基板,其表面与x-y坐标在同一平面;位于所述半导体基板上的以z轴方向为对称轴的圆环空腔;位于所述圆环空腔内壁第一侧的多个相互分离的第一电极片;位于所述圆环空腔内壁第二侧的多个第二电极片,所述第二侧与第一侧相对,所述第二电极片和所述第一电极片一一对应;构置于所述圆环空腔内的惯性体,所述惯性体为导体,其可在所述圆环空腔内绕圆环空腔的对称轴转动,使得与所述惯性体接触的第一电极片和第二电极片导通。

全文数据:

权利要求:

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